Д.ф.м.н.
Рандошкин В.В., д.ф.м.н. Салецкий А.М.,
к.ф.м.н. Усманов Н.Н.
Московский государственный
университет им. М. В .Ломоносова, Физический факультет, Россия
Эпитаксиальные
пленки (Bi,Tm)3(Fe,Ga)5O12 с ориентацией (210)
Среди
быстрорелаксирующих редкоземельных ионов наименьшим затуханием обладают ионы Tm3+ [1,2].
В Tm-содержащих монокристаллических пленках
феррит-гранатов (МПФГ), выращенных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) из
переохлажденного раствора-расплава на
подложках с ориентацией (111), как и в МПФГ, не содержащих
быстрорелаксирующих редкоземельных ионов, спин-волновой механизм движения
доменных стенок (ДС) [3,4] реализуется как генерация микродоменов перед движущейся
ДС [5,6], если феррит-гранат находится вдали от точки компенсацмм момента
импульса (КМИ) [7-9].
Заметим,
что в феррит-гранате (Bi,Tm)3(Fe,Ga)5O12
эффективное значение гиромагнитного отношения определяется формулой Киттеля
[10,11]:
g = g0(MTm +
MFe)/MFe,
где g0 –
гиромагнитное отношение ионов Fe3+, MTm -
магнитный момент ионов Tm3+, MFe
- суммарный магнитный момент ионов Fe3+, занимающих места в тетра- и
октаэдрической подрешетках..
Генерация
микродоменов перед движущейся ДС подавляется, если в плоскости пленки приложить
постоянное магнитное поле [12].
В
МПФГ с ориентацией (111) и безразмерным параметром затухания α > 0.15
генерация микродоменов перед движущейся ДС отсутствует, а спин-волновой
механизм движения проявляется как формирование диффузной ДС [13-18]. При этом
дифференциальная подвижность ДС резко возрастает, превышая в ряде случаев
начальную.
В
МПФГ с ориентацией (110) и (210), не содержащих быстрорелаксирующих ионов и
обладающих достаточно сильной ромбической магнитной анизотропией (РМА),
генерация микродоменов перед движущейся ДС не наблюдается, а имеет место
анизотропное диффузное уширение динамической ДС [19-22]. И приложение
планарного магнитного поля, и наличие РМА приводят к усилению диссипативных
процессов в МПФГ [23].
Фундаментальной
особенностью ЖФЭ является нестационарность начальной и заключительной стадий
эпитаксиального роста. Как следствие, в МПФГ, выращенных из переохлажденного
раствора-расплава, формируются переходные поверхностные слои подложка/пленка и
пленка/воздух, отличающиеся по химическому составу и физическим параметрам от
основного объема пленки [24].
МПФГ
(Bi,Tm)3(Fe,Ga)5O12
выращивали на подложках Gd3Ga5O12 с ориентацией (210) из раствора-расплава на основе Bi2O3 – B2O3.
Согласование параметров кристаллических решеток пленки и подложки обеспечивали,
варьирую температуру роста [25]. Заметим, что даже простейшая модель
двухслойной пленки, учитывающая слоистую неоднородность эпитаксиальной МПФГ,
позволяет преодолеть несоответствие теоретических и экспериментальных
результатов по динамике ДС [26].
Литература
1. Vella-Coleiro G.P., Smith D.H., Van Uitert L.G.
Appl. Phys. Lett., 1972, vol. 21, N. 1, p. 36-37.
2.
Рандошкин
В.В., Ксенофонтов Д.М., Мастин А.А., Рандошкин И.В., Сажин И.А. Сысоев Н.Н.,
Титов И.С., Труханов П.С. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика, астрономия, 2006, № 6,
с. 46-49.
3.
Ходенков
Г.Е. ФММ, 1975, т. 39, № 3, с. 466-467.
4.
Иванов
Ю.В. ЖЭТФ, 1981, т. 81, № 2, с. 612-626.
5.
Иванов
Л.П., Логгинов А.С., Непокойчицкий Г.С. ЖЭТФ, 1983, т. 84, № 3, с. 1006-1021.
6.
Рандошкин
В.В., Сигачев В.Б. ФТТ, 1986, т. 28, № 5, с. 1522-1525.
7.
Рандошкин
В.В. Магнитоопические пленки феррит-грнатов и их применение. Под ред. Ю.К.Воронько,
В.В.Рандошкина. Москва, Наука, 1992, с. 49-106 (Труды ИОФАН, т. 35).
8.
Рандошкин
В.В. Дефектоскопия, 1997, № 6, с .58-97.
9.
Владимир
Рандошкин. Динамика однохиральных доменных стенок. Импульсное перемагничивание
пленок феррит-гранатов. Lambert Academic Publishing, 2011, 400 с.
10. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. Пер. с англ. М.: Наука, 1978, 792 с.
11. Рандошкин В.В. Передовые научные
разработки – 2012, 27 августа - 05 сентября 2012, Прага, т. 12, с. 31-34.
12. Логунов М.В., Рандошкин В.В. ФТТ, 1994, т.
36, № 12, с. 3498-3505.
13. Телеснин Р.В., Рандошкин В.В., Зимачева С.М.
ФТТ, 1977, т. 19, № 3, с. 907-909.
14. Мартынов А.Ф., Рандошкин В.В. ФТТ, 1994, т.
36, № 4, с. 1179-1182.
15. Рандошкин В.В., Сигачев В.Б. ФТТ, 1994, т.36,
№ 12,с. 3493-3497.
16. Мартынов А.Ф., Дудоров В.Н., Васильева Н.В.,
Рандошкин В.В. ЖТФ, 1995, т. 65, № 1, с. 152-157.
17. Рандошкин В.В., Васильева Н.В., Дудоров В.Н.,
Дурасова Ю.А., Мартынов А.Ф., Сажин Ю.Н. ФТТ, 1996, т. 38, № 1, с. 245-254.
18. Рандошкин В.В. Дефектоскопия, 1997, № 6, с
.58-97.
19. Рандошкин В.В., Сигачев
В.Б., Чани В.И., Червоненкис А.Я. ФТТ, 1989, т. 31, № 7, с. 70-76.
20. Логунов М.В., Рандошкин В.В., Сажин Ю.Н. ФТТ,
1990, т. 32, № 5, с. 1456-1460.
21. Рандошкин В.В., Сажин Ю.Н. ЖТФ, 1996, т. 66, №
8, с. 83-91.
22. Рандошкин В.В. ФТТ,
1997, т. 39, № 8, с. 1421-1427.
23. Рандошкин В.В. Письма в
ЖТФ, 1995, т. 21, № 23, с. 74-79.
24. Рандошкин В.В. Актуальные научные достижения
– 2012, Прага, 27 июня – 05 июля 2012, т. 20, c. 9-11.
25. Батыгов С.Х, Дудоров В.Н., Зоря В.И., Зуева
И.Ю., Рандошкин В.В., Рогожин Ю.Д., Тимошечкин М.И. ЖТФ, 1985, т. 55, № 2, с.
426-428.
26. Владимир Рандошкин Динамика доменных стенок в
двухслойных магнитоодноосных пленках. Зарождение блоховских линий. Lambert
Academic Publishing, 2011, 156 c.