Физика/2 Физика твердого тела

Д.ф.-м.н. Каримов А.В., д.ф.-м.н. Джураев Д.Р.,

к.ф.-м.н. Ёдгорова Д.М., Тураев А.А.

 

Физико-технический институт НПО «Физика–Солнца» АН Республики Узбекистан. 100084, г. Ташкент, ул. Бодомзор йули, 2б; e-mail: karimov@uzsci.net.

 

Приемник оптического сигнала

на полевом транзисторе

 

Для проведения исследования фотоприемных свойств полевого фототранзистора в фотодиодном включении был собран экономичный усилитель на основе полевого транзистора во входном каскаде и на двух биполярных транзисторах соединенных по схеме Дарлингтона [1] с напряжением питания 3.0 В, рис.1.

 

Рис. 1. Электронная схема приемника оптических сигналов на основе полевого фототранзистора и экономичного усилителя

 

При возбуждении полевого фототранзистора интегральным светом коэффициент усиления уменьшается по мере увеличения оптического сигнала от 9 лк до 150 лк, как приведено в табл. 1. Благодаря использованию во входном каскаде полевого фототранзистора обеспечивается высокая чувствительность для слабых световых сигналов.

 

 

 

Таблица 1

Данные выходного сигнала от интенсивности оптического сигнала

Ф, лк

9

12

25

50

70

90

150

U, мВ

20

30

50

100

150

200

300

U, В

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

К

110

73.3

44

22

14.6

11

7.3

 

Как показали исследования по мере увеличения фотоЭДС диодного транзистора от 10 мВ до 350 мВ освещаемого лампой накаливания с увеличивающейся освещенностью от 9 лк до 150 лк величина выходного сигнала увеличивается от 0.8 В до 2.2 В. При этом начиная с 20 мВ величина выходного сигнала постоянна и равна 2.2 В.

Аналогично при подаче на транзисторный фотодиод модулированного излучения от светодиода с частотой модуляции 100 Гц, когда на выходе фотодиода создается фотоЭДС 300 мВ обеспечиваются соответствующие коэффициенты усиления (табл. 2).

Таблица 2

Зависимости коэффициента усиления и выходного сигнала

экономичной схемы от величины входного сигнала

 

U, мВ

100 Гц

20

30

50

100

150

200

300

U, В

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

2.2

К

110

73.3

44

22

14.6

11

7.3

 

При этом увеличение частоты оптического сигнала приводит к уменьшению коэффициента усиления от 7.33 (100 Гц) до 1.33 при 40000 Гц, рис. 2. Соответственно данную электронную схему можно использовать для приема модулированных оптических сигналов в диапазоне частот до 20 кГц.

Рис. 2. Зависимости коэффициента усиления

от частоты входного сигнала

 

Заключение

 

Исследуемый полевой фототранзистор при диодном включении в качестве фотовольтаического приемника имеет высокий коэффициент усиления при малых интенсивностях оптического сигнала. Можно полагать, что в фотовольтаическом режиме в р-п-переходе затвора полевого транзистора могут возбуждаться неосновные носители не только светом, но и радиационным излучением аналогично индикаторам радиоактивного излучения и прямым преобразователям ядерной энергии в электрическую.

 

Литература

 

1. David A. Hodges. Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design. IEEE transactions on circuits and systems // Fundamental theory and applications, V. 46.- No. 1, January 1999. 102

2. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken–New  Jersey: Wiley-Interscience, 2007. 3rd ed., P. 94.