Физика/8. Молекулярная физика
Аспирант
Головко А.К.
Запорожская
государственная инженерная академия, Украина
Рептация атомных цепочек в расплавах
германия и кремния
Состояние проблемы. Ряд технологий производства монокристаллов, эпитаксиальных
плёнок и наноструктур полупроводников основаны на кристаллизации из жидкой фазы
(расплава или раствора в расплаве). Необходимость дальнейшего
усовершенствования высоких технологий полупроводниковых материалов и
нанотехнологий обусловливает актуальность дальнейшего углубления представлений
о процессах, происходящих в расплавах на атомно-молекулярном уровне.
Постановка
задачи. Известно [1], что
для жидкостей характерно наличие ближнего порядка структуры и отсутствие
дальнего порядка. В [2] прямым экспериментальным методом измерения кривых
интенсивности рассеяния рентгеновых лучей были установлены основные параметры
структуры расплавов германия и кремния (табл.1).
Таблица
1 - Параметры германия и кремния в жидком состояниии
|
Параметр |
Германий |
Кремний |
Библиография |
||
|
Расстояние до ближайших соседей при температуре плавления,
нм |
0,275 |
0,270 |
[2] |
||
|
Координационное число |
5,9 ± 0,2 |
6,9 ± 0,3 |
[2] |
||
|
Координационный многогранник |
октаэдр |
октаэдр |
[2] |
||
|
Плотность упаковки атомов |
теор. |
0,52 |
теор. |
0,52 |
[2] |
|
экспер. |
0,507 |
экспер. |
0,58 |
||
|
Плотность расплава при температуре плавления, кг/м3 |
5510 |
2530 |
[2] |
||
Как следует из данных
таблицы 1, в расплавах этих двух полупроводников координационное число атомов
КЧ ≈ 6, что отвечает структурному типу белого олова, координационному
многограннику октаэдру и примитивной кубической решётке. Поскольку расплавы
германия и кремния имеют электронный тип проводимости [2], можно полагать, что
по четыре валентных электрона отделены от их атомов и находятся в расплаве. Это означает, что обнажены 3d10-электронные
оболочки атомов, химически активные 3d6-орбитали которых
имеют ортогональное взаимное расположение. Именно поэтому взаимодействие ионов
Ge+4 или Si+4 с коллективом валентных электронов в расплаве приводит
к установлению координации ближайших атомов, характерной для примитивной
кубической решётки с её ортогональным взаимным расположением химических связей.
Поскольку взаимодействие ионов Ge+4 или Si+4 с коллективом
электронов в расплаве полностью нейтрализует их заряд, то их поведение в
расплаве в дальнейшем будем рассматривать как поведение атомов.
На основании многочисленных экспериментальных фактов в
[2] высказано суждение, что в расплавах
многих веществ, в частности, металлов существуют статистически устойчивые
области, атомное строение которых близко к строению соответствующих кристаллов.
Кристаллы германия и кремния относятся к структурному типу алмаза
(пространственная группа симметрии Fd3m), в котором координационное число КЧ = 4, координационный
многогранник – тетраэдр. При рентгенографическом исследовании структуры
расплава германия путём моделирования с помощью методов обратного Монте Карло
и Вороного-Делоне было показано [3], что его атомы
образуют, среди возможных, цепочечный мотив со связью ковалентного типа. Общее
число атомов, образующих в расплаве германия подобные фрагменты, увеличивается
со снижением температуры расплава и вблизи температуры плавления 940 °С
составляет около 45 %. Цепочки из атомов
образуют ломаные линии,
количество атомов в которых может достигать пяти. Углы между звеньями цепочки авторами [3] не указываются, что не
дает возможности судить о координации ближайших соседей в цепочке. В частности,
угол 109,5 ° отвечал бы ковалентной связи. Существование ковалентных связей
между атомами в расплавах чистых германия, кремния и олова подтверждается и
другими исследователями [4, 5]. Логично предположить, что присутствие в
расплаве большого объёма атомных цепочек (до 45 % всех атомов входят в их
состав по данным [3]) может влиять на кинетику процессов диффузии и
кристаллизации. В частности, в [6] предложен механизм ускоренной кристаллизации
германия и кремния, учитывающий существование атомных цепочек в их расплавах.
Цель данной работы – на основе анализа известных экспериментальных данных различных
исследователей разработать возможный механизм движения атомных цепочек в
расплавах полупроводников, кристаллизирующихся в решётке типа алмаза.
Рептационный механизм движения
атомных цепочек в расплавах германия и кремния. Структуру расплава германия и кремния, установленную
в [3], можно
рассматривать как раствор цепочечных квазимолекул в расплаве атомного строения.
Атомы кремния внутри цепочечной квазимолекулы соединяются между собой
ковалентными связями, образующимися путем
sp3-гибридизации
валентных электронов. Движение цепочечной квазимолекулы в
расплаве германия или кремния можно уподобить движению макромолекулы полимера в
вязкой среде – расплаве собственного мономера. Вследствие того, что цепи таких
молекул при движении взаимно препятствуют друг другу, им легче передвигаться на
значительные расстояния путём перемещения своих сегментов в направлениях,
параллельных своей оси. Такое
змеевидное движение цепей названо рептацией [7].
В наиболее распространённой модели рептации
принимается, что в расплаве полимера вокруг макромолекулы можно выделить «трубку»
конечной толщины, свободную от других макромолекул. Движение на масштабах,
меньших диаметра трубки, возможно в любых направленях. На больших масштабах
макромолекула может двигаться только внутри трубки, постепенно «выползая» из
неё. При «выползании» макромолекула как бы создаёт себе новую трубку. Эта
модель предсказывает зависимость коэффициента самодиффузии D макромолекул
от их молекулярной массы m в виде
D ~ m-2,
что
подтверждается в эксперименте [8].
Рептация цепочечной
квазимолекулы в расплаве германия или кремния имеет отличия от рептации макромолекулы
в расплаве мономера. В процессе рептационного движения цепочечная квазимолекула
может устанавливать ковалентные связи с новыми атомами из расплава, таким
образом присоединяя их к себе (рис.1,б – атом № 6).

а б
а, б – стадии рептации
Рис. 1 – Рептация цепочечной
квазимолекулы в расплаве германия или кремния
С другой стороны, часть её ковалентных связей может
разрушаться под действием тепловых флуктуаций. Освободившийся атом уходит в
расплав или присоединяется к иной цепочечной квазимолекуле (рис.1,б – атом № 5).
Рептационное перемещение квазимолекул
в расплаве германия или кремния может происходить в рамках теплового движения
либо под действием различных внешних факторов. Например, в процессе выращивания
монокристалла кремния вследствие локального переохлаждения на фронте кристаллизации концентрация цепочечных
квазимолекул должна повышаться. В
результате градиента концентрации происходит диффузия квазимолекул
из объёма расплава к фронту
кристаллизации.
Выводы. Анализ известных экспериментальных данных указывает на
необходимость учета при кристаллизации одноатомных полупроводников реальной
структуры их расплавов. Наличие в таких расплавах цепочечных атомных структур и
особенности их движения не могут не оказывать влияния как на такие физические
факторы, как кинетика и массоперенос на фронте кристаллизации.
Учет разработанного возможного
механизма движения атомных цепочек в расплаве («рептация») будет способствовать
созданию более точных математических моделей процессов зарождения и роста
нитевидных и наноразмерных кристаллов германия и кремния, что позволит на
практике управлять их формой и размерами.
Литература:
1. Савельев
И.В. Курс общей физики, том 1. Механика. Колебания и волны. Молекулярная физика
/ И.В. Савельев. – М.: Наука, 1970. – 511 с.
2. Полтавцев Ю.Г. Структура
полупроводниковых расплавов / Ю.Г. Полтавцев. – М.: Металлургия, 1984. – 178 с.
3. Казимиров В.П. Характер упорядочения
атомов в расплаве и поверхностные свойства простых эвтектических систем / В.П.
Казимиров, А.С. Роик, В.М.
Перевертайло, О.Б. Логинова, С.А. Лисовенко // Сверхтвердые материалы. – 2008. - №4. – С. 35.- 52. www.ism.kiev.ua
4. Tsuji К., Hattrori Т., Mori Т. et al. Pressure dependence of the
structure of liquid group 14 elements. - J. Phys.: Condens. Matter. – 2004. - №16. – Р. 989-996.
5. Goto R., Shimojo F., Nunejiri S., Hoshino K. Structural and
electronic properties of liquid Ge—Sn alloys: ab initio molecular-dynamic
simulation. - J. Phys. Soc. Japan. –
2004. - №(73), 10. – Р. 2746-2752.
6. Червоный И.Ф., Швец Е.Я., Головко Ю.В., Егоров С.Г. Механизм ускоренной кристаллизации
кремния // Восточно-Европейский журнал
передовых технологий. - 2011. - № 6/5 (54). – С. 19-22.
7. Бартенев Г.М. Физика полимеров / Г.М. Бартенев, С.Я. Френкель. –
Ленинград: Химия. Ленинградское отделение, 1990. – 431 с.