ПРИМЕНЕНИЕ АННИГИЛЯЦИОННЫЕ СПЕКТРЫ ПОЗИТРОНА ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ СТРОЕНИЯ ВЕЩЕСТВА В МОНОКРИСТАЛЛАХ GaSe И InSe

А.А.Исмаилов*,  Г.И Исаков*,   Анар А.И**.

*Институт Физики НАН Азербайджана

**АзТУ

В работе изучены аннигиляционные спектры позитрона в монокристаллах GaSe и InSe, которые «времени жизни» обработанные по двухкомпонентном модели и выявлены следующие данные: для GaSe t₁=0,237 nsec., t₂=0,240 nsec. c относительной интенсивностей I₁=19,18 и I₂ =18,10 по InSe t₁=0,357 nsec., t₂=0,258 nsec. c относительной интенсивностей I₁=53,18 и I₂ =53,324.

В последние годы наблюдается интенсивное развитие позитрона различных веществ и их состояний. Интерес к изучению позитрона различных веществ связан исследования электронной структуры и некоторых физико-химических характеристик вещества, а так же возможностей построения приборов и устройств, работающих на основе эффектов взаимодействия излучения с веществом.

На работе исследована дефективность структур из атомно-молекулярном уровне в слоистых полупроводниках GaSe и InSe.

Измерение проведено в диапазоне 6-20 nsec., с время 360 рsec., спектры позитрона в монокристаллах GaSe и InSe. Аннигиляционные спектры позитронные «времени жизни» обработанные по двухкомпонентном модели и выявлены следующие данные: для GaSe t₁=0,237 nsec., t₂=0,240 nsec. c относительной интенсивностей I₁=19,18 и I₂ =18,10 по InSe t₁=0,357 nsec., t₂=0,258 nsec. c относительной интенсивностей I₁=53,18 и I₂ =53,324.

Как видно из измерение параметров временных аннигиляционных спектров (средних времен жизни t_j и интенсивностей I_j) дает возможность судить о природе позитронных состояний, механизме аннигиляции позитронов в среде и тем самым о свойствах самой среды, а также получать информацию о дефективности вещества. Практически из нем позитронные характеристикой спектры GaSe и InSe имели общий сил, которая абсолютные значения заметно различается.