Физика/2. Физика твердого тела
Проф., д.ф.-м.н. Максимов С.К.1,
к.ф.-м.н. Максимов К.С.2
1. Национальный
исследовательский университет МИЭТ, 2. ФГУП «ВИМИ»
Наноразмерность и упорядочение в дефектной структуре.
В Ca1-xLaxF2+x
и La1-xCaxF3-x упорядочение и формирование
наноразмерных антифазных доменов (А.Д.)
ведут к наноразмерному двойникованию (Д.),
а взаимодействие между двойниками (Д-ми) и антифазными границами (А.Г.) вызывает совмещение Д-ковых границ и А.Г. в одной плоскости c атомарной
точностью и упорядочение дефектной
структуры. Энергетика наноструктурирования
[1,2] говорит о возможности явления, но объяснение его механизма и экспериментальное
подтверждение получены впервые путем сопоставления результатов для двух
сингоний: кубической (Ca0,5La0,5F2,5 со структурой
CaF2) и тригональной (La2CaF8 со структурой
LaF3).
Все объекты получены в ИК РАН и
предоставлены Соболевым Б.П.
Локальная электронография (SAED) при локальной диафрагме Æ в 0,5 мкм, реализованная посредством электронного микроскопа Philips CM-30, позволила осреднять дифракционную информацию по большим объемам. Микроскопия «с дифракционным контрастом» (ПЭМ-ТЕМ) и «высокого разрешения» (HRTEM) использованы для получения дополнительной информации. Электронограммы Ca0,5La0,5F2,5 с развитой структурой Д-ков и А.Д., приведены на рис. 1.
Подавление или
ослабление рефлексов нечетных рядов на рис. 1-А происходит в результате
наложения рефлексов разных двойников (эффект мероэдрии, иллюстрируемый рис. 1-Б). В решетке CaF2,
изменения индексов рефлексов при Д.
описывается формулой: η′
= 2ρ{∑ηρ/∑ρ2}-η (1), где η′ отвечает набору индексов рефлексов двойника, η
– индексов исходного рефлекса, и ρ
– индексов плоскости двойникования. Для двойников {111} чередование интенсивностей через ряд рефлексов невозможно, и в
соответствии с (1) электронограммы
1-А и 1-Б отвечают Д‑кам {110}, которые хотя и запрещены в
структуре CaF2, но имеют плоскости Д., совпадающие с плоскостями А.Г.
Расчетные плоскости
двойникования La2CaF8:
(110), (001). Упорядочение
в La2CaF8 происходит только вдоль одного из рядов 100, 010,
, и
|
|
|
|
Рис. 1-А. Электронограмма, проекция (110) от объема
с А.Д. Ряды рефлексов, || нулевому
|
|
плоскостями А.Г. служат
плоскости, содержащие направления упорядочения:
, (110), (001). Эти плоскости являются также
плоскостями двойникования. Для проекций
и
в La2CaF8
наблюдается
мероэдрия. Плоскости
и
содержат ряды,
включающие и структурные рефлексы и С.Р.,
а Д-ки пересекают эти ряды. Рис. 2-А. Электронограмма для проекции
Рис. 2-Б-1 – 2-Б-5 – микрофотографии детали структур Д-ки + А.Д. Рис. 2‑б-6 отражает механизм формирования структуры Д-ки + А.Д.
|
|
|
|
Рис. 2-А. Проекция Рис. 2-Б-6. Решетка искажена вдоль á110ñ. Для I дифракционные проявления искажений
подавлены при осреднении по рассеивающему объему, но для II в результате совмещения границ Д-ов
и А.Г. искажения проявляются. |
|
Д. изменяет фазу рефлекса на π независимо
от ориентации вектора дифракции
. При пересечении А.Г.
скачок фазы зависит от
и плоскости А.Г., но направление
не меняется. Поэтому
скачки фаз для проекций
и
в рядах рефлексов
суммируются. Для La2CaF8 выражение скачков фаз на А.Г. ∆φ = 2/3π(hghR+kgkR+1/2(hgkR+hRkg)+3/4(lglR)),
где g относится к рефлексу, R – к смещению на А.Г., что позволило рассчитать суммарные скачки фаз. Мероэдрия, наблюдаемая для (
) и (
, где невозможно совпадение границ
Д-ов и А.Д., подавлена для
вопреки развитой Д. структуре, ибо при переходе из
одного Д-ка в другой действуют
суммарные скачки фаз.
Возникновение мероэдрии и ее подавления логично, если имеются сплошные плоскости Д., а между рядами отсутствуют А.Д. Однако согласно ПЭМ и в Ca0,5La0,5F2,5, и в La2CaF8 в структуре превалируют наноразмерные Д-ки и А.Д. К тому же Д-ки не лежат в одной плоскости, и их ориентация варьируется. Однородность интенсивностей рефлексов в рядах и закономерность её изменения при смене рядов требуют корреляций в распределении Д-ков и А.Д., обеспечивающих идентичность скачков фазы.
Рис. 1-А отвечает
кристаллу с двумя Д. границами: Одна
для плоскости Д. (110), параллельной плоскости проекций, а
вторая для Д-ка (011),
плоскость которого пересекает (110)
по направлению
. В нечетных рядах рефлексы Д-ков (110) и
взаимно подавлены, и
видны только рефлексы Д-ка (011), с решеткой растянутой вдоль [011] и сжатой в плоскости (011). В Д-ке (011) рефлексы ряда
, лежащие в плоскости (011),
отвечают уменьшенному межплоскостному расстоянию и большему
. В четных – амплитуды рефлексов суммируются и влияние Д-ка (101) проявляется в ореолах. Величина
для (011) характеризует изменения
элементарной ячейки в результате совмещения плоскостей Д. и А.Г.,. доказывая и его
атомарную точность и Д. по {110}.
В Ca0,65La0,35F2,35, кристаллохимически
идентичном Са0,5La0,5F2,5, структура А.Д. нарушена преципитацией, и структурно-дифракционные
аномалии отсутствуют. Причина выявленных аномалий в обоих соединениях – энергетика.
При энергии А.Д. ≈ в 50 Дж/м2
и размерах А.Д. в ≈ 8 нм
плотность энергии, запасенной в А.Г.
≈ 2 кДж/см3. Ликвидация А.Г. путем диффузии невыгодна. Энергетический выигрыш для Са0,5La0,5F2,5
и в La2CaF8 для A.Г.
(001) и (110) следует из рис. 2-Б-6, и механизм с совмещением Д-ков и А.Г. менее энергоёмок. Проявления
совмещения/упорядочения в дефектной структуре двух сингоний говорят об
универсальности явления, влияние которого на свойства наноструктурированных материалов,
необходимо учитывать во многих технологиях.
1.
Gleiter
H. Nanocrystalline materials. Prog. Mater. Sci. 1989; V. 33. pp. 223-315.
2.
A. Barnard. Progress in Physics, 2010. V. 73, No 8, art.
86502 (52).