ПОРИСТЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ НАНОПЛЕНКИ

Authors

  • КТ Бажиков Республика Казахстан
  • ЛУ Таймуратова Республика Казахстан

Abstract

Введение Пористые кремний диэлектрические пленки считаются перспективным материалом для микро-, нано- и оптоэлектроники. Эти материалы используются в светодиодах, фотоприемниках, катодах вакуумной микроэлектроники, биологических имплантатах, газовых приборах, мембранах. Он имеет большой потенциал для датчиков влажности, газовых, химических и биологических датчиков, а также для других целей. Целью данной работы является формирование двухцепочечного кристаллического кремния, стратифицированного при n-Si, для диапазона температур 30-120°С. Когда используются некачественные высокотемпературные устройства и в ВAХ, обеспечивается практичность симметричной двусторонней работы. Исследование структуры пористых пленок диоксида кремния. Практическая часть Пористые пленки диоксида кремния были получены путем магнетронного распыления кремниевого и углеродного компонента. Добавление углерода в пленки приводит к необратимым изменениям их структуры, что приводит к пустотам.

References

Смит, А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с англ. / А. Смит. - М.: Мир, 1982. – 328 с.

Ковтонюк, Н.Ф., Измерения параметров полупроводниковых материалов / Н.Ф. Ковтонюк, Ю.А. Концевой. – М.: Энергия, 1970. – 432 с.

Published

2020-02-15

How to Cite

Бажиков, К., & Таймуратова, Л. (2020). ПОРИСТЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ НАНОПЛЕНКИ. Pridneprovskiy Scientific Bulletin, 8(664). Retrieved from http://www.rusnauka.com/index.php/rusnauka/article/view/1701